Bericht von Engineering Ceramic Co. (EC © ™):
Wie die Nationale Entwicklungs- und Reformkommission (NDRC) auf einer Pressekonferenz am Montag bekannt gab, hat China in diesem Jahr 200 Milliarden Yuan (28 Milliarden US-Dollar) für Investitionsprojekte lokaler Regierungen bereitgestellt, da es versprach, seine eigenen ehrgeizigen Wirtschaftswachstumsziele zu erreichen.
Diese Projekte umfassen die Halbleiterindustrie wie das chemisch-mechanische Polieren (CMP). Im Halbleiterherstellungsprozess muss die Chipoberfläche sehr flach sein, um den normalen Betrieb der Schaltung sicherzustellen. Chemisch-mechanisches Polieren ist ein Schlüsselprozess, um dieses Ziel zu erreichen.Ceroxidwird aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften zu einem wichtigen Schleifmittel in CMP-Schlamm. Die Nano-Ceroxid-Dispersion oxidiert stark zu Siliziumwafern und kann eine sehr dünne Oxidschicht auf der Oberfläche des Siliziumwafers bilden. Dies trägt nicht nur zur Verbesserung der Poliereffizienz bei, sondern ermöglicht auch, dass der Siliziumwafer eine sehr geringe Oberflächenrauheit erhält, die Produktoberfläche hell wird und einen Spiegeleffekt erzielt.
Im Vergleich zu anderen häufig verwendeten Schleifmaterialien stellt Engineering Ceramic Co. (EC © ™) ein spezielles Ceroxidpulver her, das eine bessere Polierwirkung hat. Es kann winzige Partikel, Verunreinigungen und Unebenheiten auf der Oberfläche des Siliziumwafers effizient entfernen, die Ebenheit und Reinheit des Siliziumwafers verbessern, während des Poliervorgangs weniger Wärme und chemische Rückstände erzeugen und Halbleitermaterialien weniger beschädigen.
Chemische Formel: CeO2
Molmasse: 172,115 g/mol
Aussehen: weißer oder hellgelber Feststoff, leicht hygroskopisch
Dichte: 7,215 g/cm3
Schmelzpunkt: 2.400 °C (4.350 °F; 2.670 K)
Siedepunkt: 3.500 °C (6.330 °F; 3.770 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Magnetische Suszeptibilität (χ): +26,0·10−6 cm3/mol
Kristallstruktur: kubisch (Fluorit)
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